В последние годы мир технологий стал свидетелем значительных достижений в области искусственного интеллекта, но высокое энергопотребление остается большой проблемой. Одним из решений является создание нейросинапсов, где нейроны и синапсы моделируются с помощью всего лишь одного стандартного полевого транзистора (MOSFET). Такой подход может значительно снизить энергозатраты, которые сейчас достигают тысячи ватт для мощных графических процессоров.
Мы решили реализовать искусственные нейроны и синапсы на основе MOSFET, что позволило заметно упрощать конструкции и повышать их эффективность. Такие устройства способны воспроизводить поведение биологических нейронов, а также динамически подстраивать свою проводимость.
Одним из уникальных моментов исследований стало то, что молекулярные транзисторы смогли